半导体行业废气有哪些典型成分？
半导体行业废气有哪些典型成分？摘要
半导体生产废气具有 “多品类、高毒性、强腐蚀性” 的特点，主要成分包括：腐蚀性气体：刻蚀工艺中常用的氯气（Cl₂）、氟化氢（HF）、氟化氮（NF₃），以及清洗工序产生的氨气（NH₃）等，这类气体对金属设备和蓄热体的腐蚀性极强。含硅 / 金属化合物：化学气相沉积（CVD）工艺排放的硅烷（SiH₄）、四氯化硅（SiCl₄），以及溅射工序产生的钛、铝等金属挥发性化合物。VOCs 与特种气体：光刻胶挥发产
半导体生产废气具有 “多品类、高毒性、强腐蚀性” 的特点，主要成分包括：
- 腐蚀性气体：刻蚀工艺中常用的氯气（Cl₂）、氟化氢（HF）、氟化氮（NF₃），以及清洗工序产生的氨气（NH₃）等，这类气体对金属设备和蓄热体的腐蚀性极强。
含硅 / 金属化合物：化学气相沉积（CVD）工艺排放的硅烷（SiH₄）、四氯化硅（SiCl₄），以及溅射工序产生的钛、铝等金属挥发性化合物。
VOCs 与特种气体：光刻胶挥发产生的苯系物、醇类 VOCs，还有掺杂工艺中使用的砷化氢（AsH₃）、磷化氢（PH₃）等剧毒气体。
颗粒物：晶圆切割、研磨过程中产生的硅粉颗粒，以及工艺腔室清洁时带出的固态杂质，粒径多在 0.1-5μm。
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